[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010512859.6 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112086509A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 松野吉德;高木保志;田口健介;宫崎光介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以及电极，其配置于金属化层之上。在俯视观察时，金属化层的终端区域侧的第1端部的位置与电极的终端区域侧的第2端部的位置相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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