[发明专利]由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法有效
| 申请号： | 202010514633.X | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111646802B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 焦庆国;汪艳芳;李昌林;柴登鹏;方斌;王韬略;罗丽芬 | 申请（专利权）人： | 中国铝业股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/567 | 分类号： | C04B35/567;C04B35/626;C25C3/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100082 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由铝电解槽产生的废碳化硅结合氮化硅侧块的处理方法，包括：将附着在废碳化硅结合氮化硅侧块上的电解质清除，获得预处理废碳化硅结合氮化硅侧块；将所述预处理废碳化硅结合氮化硅侧块粉碎，获得颗粒；将所述颗粒加入洗液进行一次洗涤，后固液分离，获得第一固体和第一液体；使用第一脱氟剂对所述第一固体进行二次洗涤，后固液分离，获得碳化硅与氮化硅固体和第二液体；所述第一脱氟剂为氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的混合物，且所述氧化钙、氢氧化钙和活性氧化铝的质量比为：(6～8)：(3～5)：(1～2)；本发明获得的废碳化硅与氮化硅固体中可溶氟含量20mg/L。 | ||
| 搜索关键词： | 电解槽 产生 碳化硅 结合 氮化 硅侧块 处理 方法 | ||
【主权项】：
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