[发明专利]一种基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料

摘要

本发明公开了一种基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，所述基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料是以氮化硅(Si3N4)、氮化硅镁(MgSiN2)、助烧剂为原料，所述基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料是将氮化硅(Si3N4)、氮化硅镁(MgSiN2)、助烧剂混合均匀，加入溶剂无水乙醇经搅拌研磨40‑60小时得到混合均匀的浆料，混合浆料经100‑120℃烘干、过40‑200目筛得到氮化硅基片配方粉，所述氮化硅基片配方粉经干压成型后，在惰性或还原性气氛下，在20‑45MPa的压力下、1700‑1850℃下热压烧结1‑3小时制得。与现有技术相比，本发明通过优化配方和工艺参数，从而有效地控制氮化硅晶粒的大小和晶界的厚薄，最终得到可广泛应用于动态IGBT领域的高强高热导氮化硅基片材料。