[发明专利]一种晶硅电池背钝化叠层结构及制备工艺在审
| 申请号： | 202010516003.6 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111628010A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张波;杨飞飞;赵彩霞;李雪方;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;赵科魏;鲁贵林 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶硅电池背钝化领域。一种晶硅电池背钝化叠层结构，背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOxNy/AlOx，AlOx膜之上为P型硅基体，其中，氧化铝AlOx膜层的折射率为1.6‑1.65，膜厚为5‑10nm，氮氧化硅SiOxNy膜层的折射率为1.7‑2.0，厚度为10‑20nm,氮化硅SixNy减反膜层的折射率为2.1‑2.3，厚度为100‑120nm，叠层总厚度为100‑150nm，x和y为正实数。本发明还涉及该晶硅电池背钝化叠层结构的制备工艺。相比主流的氧化铝工艺，本电池结构制造成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 钝化 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
