[发明专利]三维存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010517132.7 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111769113A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张豪;郭海峰;艾义明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种三维存储器及其制备方法包括：提供衬底，其中，衬底包括堆叠面；自衬底的堆叠面在衬底中形成包括阻隔层和牺牲层的填充结构，其中，阻隔层围设在牺牲层的周边；在衬底的堆叠面形成叠层结构；形成贯穿叠层结构且暴露出牺牲层的沟道孔；移除牺牲层，以使叠层结构和阻隔层配合形成与沟道孔连通的开槽；形成贯穿叠层结构和阻隔层且暴露出衬底的栅缝隙，其中，栅缝隙与沟道孔间隔设置；以及，形成位于开槽和沟道孔的沟道层以及位于栅缝隙的外延层，以使沟道层和外延层连接。本申请的技术方案解决了现有技术中因采用横向刻蚀的方法使沟道层和外延硅连通，涉及多层结构的刻蚀，工艺步骤冗长且难度较大，影响三维存储器的可靠性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010517132.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
