[发明专利]氮化铝单晶基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010518150.7 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN111621852A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 纐缬明伯;熊谷义直;永岛彻;平连有纪 申请(专利权)人: 国立大学法人东京农工大学;株式会社德山
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B25/02;C30B25/08;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/32
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种氮化铝单晶,其特征在于,碳的浓度为1×1014atoms/cm3以上且小于3×1017atoms/cm3,氯的浓度为1×1014~1×1017atoms/cm3,波长265nm下的吸收系数为40cm-1以下。
搜索关键词: 氮化 铝单晶基板 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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