[发明专利]一种新的P型晶硅电池结构及其制备工艺

摘要

本发明涉及P型晶硅电池生产领域。一种新的P型晶硅电池结构，背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOxNy/BSG/P++，其中膜之上为P型硅本体，其中P++层厚100‑200nm，硅基体背表面掺杂浓度为1*1019‑5*1019/cm‑3之间，BSG膜厚为3‑5nm，掺杂浓度为3*1020‑5*1020/cm‑3，SiOxNy的折射率为1.7‑2.0，厚度为3‑5nm，SixNy的折射率为2.1‑2.3，厚度为120‑150nm。本发明还涉及一种制备工艺。本发明提出了一种适合P型晶硅电池的高效电池技术路线，相比现有PERC电池，转换效率高，投资成本低，且升级周期短，见效快。