[发明专利]一种新型晶硅PERC电池前氧化层制备工艺有效
申请号: | 202010519116.1 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111564530B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;李雪方;张波;鲁贵林;赵科魏;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/505 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及晶硅PERC电池钝化领域。一种新型晶硅PERC电池前氧化层制备工艺,按照清洗制绒、扩散制结、背面刻蚀、双面氧化铝制备、正面氮化硅膜制备、背面氮化硅膜的制备、背面激光开槽、正背电极的制备的工艺过程进行;双面氧化铝制备过程中,将硅片插入铝制花篮中,循环通入TMA和水蒸气,在硅片的正、背面各制备一层3‑5nm的氧化铝膜;正面氮化硅膜制备过程中,将制备完双面氧化铝的硅片,放入石墨舟,在管式PECVD中制备氮化硅,通入NH3和N2气后,接通射频源,通过高能等离子体将正面氧化铝膜层打掉,同时形成一层氧化硅层。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 perc 电池 氧化 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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