[发明专利]一种高介电常数栅介质材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010524341.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111640794A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 夏经华;张文婷;田丽欣;安运来;田亮;查祎英;杨霏;吴军民 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/285;H01L21/28;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种高介电常数栅介质材料及其制备方法。该高介电常数栅介质材料，自下至上，包括依次叠加的AlN层、AlO |
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| 搜索关键词： | 一种 介电常数 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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