[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理装置的方法在审
| 申请号： | 202010524631.9 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071773A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李太燮;金奎铉;李成龙;徐同赫;朴绪正 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 车今智 |
| 地址： | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。用于处理基板的装置包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体内部的处理空间；板，所述板支承所述壳体内部的所述基板；加热构件，所述加热构件设置在所述板的内部以加热所述基板，并且包括多个加热区；温度测量构件，所述温度测量构件测量所述基板相对于所述加热构件的多个加热区的各加热区的温度；和控制单元，所述控制单元控制加热构件在温度测量构件中测量的温度变化图的动态区段中的温度。所述控制单元相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区执行温度控制，以使得所述基板上的薄膜的厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司，未经细美事有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010524631.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于处理基板的装置
- 下一篇：用于运行冗余的自动化系统的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
