[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010525512.5 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782603B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：栅极结构，位于器件区的基底上；源区，位于栅极结构一侧器件区的基底中；漏区，位于栅极结构另一侧器件区的基底中；底部介质层，位于栅极结构侧部的基底上且覆盖源区和漏区；顶部介质层，位于底部介质层上且覆盖栅极结构；散热结构，位于隔离区的顶部介质层中；散热结构位于源区背向栅极结构的一侧，或位于漏区背向栅极结构的一侧，或位于源区背向栅极结构的一侧和漏区背向栅极结构的一侧；散热结构包括一层或多层相连的导热层。在器件工作时，器件产生的热量能够通过散热结构传导出去，从而有利于提高器件的散热效率，相应改善器件的自热效应，进而有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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