[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备在审
| 申请号： | 202010526119.8 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113782605A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 何丽娜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体制造技术领域，以控制栅电极的阻值，抑制漏电流的产生，提高半导体器件的刷新性能。该半导体器件包括衬底以及嵌入在衬底中的栅堆叠，栅堆叠的栅电极包括上栅极、下栅极和外围栅极。上栅极为∩形结构，外围栅极为U形结构，上栅极覆盖下栅极的顶面和侧面的上部，外围栅极覆盖下栅极的底面和侧面的下部。上栅极的底面与外围栅极的顶面相接。本发明还提供一种制造上述半导体器件的制造方法。本发明提供的半导体器件应用在电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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