[发明专利]炉管的进气装置及其炉管结构有效
申请号: | 202010527656.4 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN111834257B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 谢定方;侯潇;王秉国 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 冯丽欣 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 公开了一种炉管的进气装置,包括进气口;进气管,一端连接进气口,所述进气管为具有弧度的非直管;喷嘴,位于所述进气管的另一端,沿所述进气管长度方向并面向晶舟均匀设置,所述喷嘴设置为倾斜状态;其中,所述反应气体由所述进气口进入进气管,并由所述喷嘴向所述晶舟中的硅片喷射,使晶舟中的硅片均匀接触到反应气体,所述硅片接触到的反应气体的温度与所述硅片的温度之间的温度差小。本申请的炉管的进气装置,通过将进气管的直管道改成具有弧度的非直管,加长了反应气体到达晶舟的时间,从而使得反应气体与硅片之间的温度差减小,进而减小了因温度差而导致的硅片翘曲值急剧增加的问题。 | ||
搜索关键词: | 炉管 装置 及其 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造