[发明专利]具有阻变存储层的非易失性存储器件在审
| 申请号： | 202010527827.3 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112466903A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 韩在贤;刘香根;李世昊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；源电极结构，其设置在衬底上；沟道结构，其被设置为与源电极结构的侧壁表面接触；阻变存储层，其设置在沟道结构的侧壁表面上；漏电极结构，其被设置为与阻变存储层接触；多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在多个栅极电介质结构中在第一方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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