[发明专利]LDMOS器件的制备方法和LDMOS器件有效
| 申请号： | 202010528014.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111785633B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法和LDMOS器件，该方法包括：在衬底中形成阱掺杂区；在衬底上形成栅氧，栅氧的底部与阱掺杂区的上表面具有交叠区域；在栅氧上形成多晶硅栅，多晶硅栅和栅氧形成台阶型结构；进行至少两次漂移区离子注入，在衬底中形成漂移区，漂移区覆盖阱掺杂区和栅氧的底部，至少两次漂移区离子注入中存在至少两次漂移区离子注入的能量不同；进行重掺杂离子注入，在阱掺杂区内分别形成源端和沟道引出端，在漂移区内形成漏端。本申请通过在形成栅氧和多晶硅栅后，进行至少漂移区离子注入，从而使漂移区的掺杂浓度在横向方向上的分布不均匀，降低了器件的击穿几率。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
