[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

本申请公开了一种闪存器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在半导体衬底上的存储区域形成闪存器件的栅极结构；在所述闪存器件的栅极结构中的字线顶部形成氧化层；在所述存储区域进行源漏自对准刻蚀工艺；涂布BARC，所述字线顶部的凹洞被所述BARC填充；刻蚀所述半导体衬底，直到所述字线顶部平整；去除残余的BARC；形成所述闪存器件的源区和漏区；解决了目前闪存器件制造过程中的字线顶部的凹洞影响后续金属硅化物形成的问题；达到了在不调整其他工艺过程的情况下调平闪存器件的字线顶部，优化闪存器件的制造过程的效果。