[发明专利]一种在碳化硅表面镀银的方法在审
申请号: | 202010530126.5 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN111663124A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 刘亚华;李天然;詹海洋 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44;C23C18/18;C25D3/46;C25D5/54;C23C28/02 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 李晓亮;潘迅 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种在碳化硅表面镀银的方法,属于表面处理技术领域,包括如下步骤:除油、粗化、敏化、活化、还原、化学镀、电镀、水洗和烘干,其中除油剂为质量分数10%的氢氧化钠溶液;粗话剂为质量分数10%的硝酸溶液;敏化剂成分如下:质量分数2%的盐酸、质量分数2.8%的二水合氯化硅;活化剂成分如下:质量分数0.37%的盐酸、质量分数0.05%氯化亚锡、还原剂为浓度为25g/L的次磷酸二氢钠溶液;化学镀A液成分如下:质量分数5.4%的硝酸银、质量分数2.3%氢氧化钠、适量氨水;化学镀B液成分如下:质量分数4.2%的葡萄糖、质量分数0.4%的酒石酸、质量分数1%的乙醇。通过本发明可以在碳化硅表面电镀一层致密的银层,可以应用于目前的需求领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 表面 镀银 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
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