[发明专利]一种用于50~100nm波段的高次谐波抑制滤片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010534058.X 申请日: 2020-06-12
公开(公告)号: CN111580207A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 金宇;陈溢祺;朱忆雪;冀斌;朱东风;朱运平;金长利 申请(专利权)人: 苏州宏策光电科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 马小星
地址: 215400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种用于50~100nm波段的高次谐波抑制滤片及其制备方法,属于光学元件技术领域。本发明提供的高次谐波抑制滤片,包括依次层叠设置的第一Al膜、Yb薄膜和第二Al膜。本发明中,Yb薄膜在46nm左右存在吸收边,使用Yb薄膜制备成的滤片其透射率在吸收边前后有非常明显的对比,第一Al膜和第二Al膜易氧化,会生成致密的Al2O3进而保护Yb薄膜不受氧化。本发明提供的滤片在50~100nm的波长范围内可以有效地对高次谐波进行抑制。实施例对高次谐波抑制滤片进行透射率测量,结果表明该高次谐波抑制滤片能够在50~95nm的波长范围内有效的谐波抑制。
搜索关键词: 一种 用于 50 100 nm 波段 谐波 抑制 及其 制备 方法
【主权项】:
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