[发明专利]一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置在审
| 申请号： | 202010535364.5 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111537925A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李孟委;秦世洋;王旭虎 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京惠智天成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11681 | 代理人： | 刘莹莹 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置，包括：磁体平台、磁场明暗栅组件和基板，磁体平台设置在磁场明暗栅组件顶部，基板设置在磁场明暗栅组件底部；磁场明暗栅组件包含：支撑框架、放大平台、支撑槽、高磁导率软磁隧尖；支撑槽滑动设置在支撑框架内，支撑槽水平设置，多个放大平台滑动设置在滑动槽内，放大平台底部设置高磁导率软磁隧尖。本发明的有益效果在于，通过高磁导率软磁隧尖将近似匀强的磁场强度聚集起来，形成一种稳定变化的高变化率磁场，使得磁敏电阻敏感到的磁场变化，在微弱的磁场变化下磁敏电阻的阻值会发生剧烈变化。同时，所设计的磁场明暗栅结构加工工艺简单、制作成本低、使用方便、可靠性好，适合微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 聚集 效应 磁场 明暗 装置 | ||
【主权项】：
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