[发明专利]一种三极发光管外延结构及三极发光芯片有效
| 申请号： | 202010535446.X | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111834502B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;吴朝兴;张永爱;周雄图;王堃;刘晔 | 申请（专利权）人： | 福州大学;闽都创新实验室 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/12;H01L33/06;G09F9/33;G09G3/32 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 陈明鑫;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三极 发光 外延 结构 芯片 | ||
【主权项】：
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