[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010535906.9 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113808929A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李洋;邓世琪;严利均;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;章丽娟 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，衬底表面具有掩膜层，掩膜层表面具有图形层，图形层内具有图形开口，图形开口底部暴露出掩膜层的顶部表面；以图形层为掩膜，刻蚀图形开口底部的部分掩膜层，在掩膜层内形成第一开口；形成第一开口之后，在第一开口顶角的周围形成保护层；以保护层为掩膜，刻蚀第一开口底部的掩膜层，直至暴露出衬底的顶部表面，在掩膜层内形成第二开口。此发明解决了传统刻蚀半导体结构形成过程中掩膜层的顶角处被刻蚀磨损的问题，通过在刻蚀过程中添加一层保护层，保证在刻蚀过程中掩膜层的顶角不会被破损，提升了图形转移的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
