[发明专利]钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿薄膜以及太阳能电池器件有效
申请号: | 202010536303.0 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111816770B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 邹德春;高博;胡静;汤胜;简蓉 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿薄膜以及使用该钙钛矿薄膜的太阳能电池器件、磁控溅射仪。所述制备方法包括如下步骤:a)将钙钛矿制成靶材;b)使用步骤a)中获得的所述靶材,利用磁控溅射仪进行溅射,得到未处理薄膜;c)任选地,对步骤b)得到的薄膜进行后处理,所述后处理包括真空状态下进行碘甲胺气相处理和惰性气体氛围下进行甲胺气体处理,随后进行退火、冷却,得到钙钛矿薄膜。通过本发明的钙钛矿薄膜的制备方法可获得高质量的磁控溅射薄膜,并通过使用通过该方法制备的钙钛矿薄膜,结合后续的处理工艺及其它功能层,可以获得高质量的钙钛矿太阳能电池器件。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 薄膜 制备 方法 以及 太阳能电池 器件 | ||
【主权项】:
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