[发明专利]一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置

摘要

本发明属于半导体薄膜沉积技术领域，具体提供了一种改善反应过程中反射功率稳定性的等离子体发生装置，通过优化挡板结构来确保了等离子体发生装置的上极板喷淋头、挡板和腔体上板之间的等势体；该发明还通过优化等离子体发生装置下极板加热盘上的晶圆支撑装置的材质，将铝制加热盘外缘镶嵌陶瓷环的普通陶瓷材质改为特殊改性过后的LLT陶瓷，能更大程度的降低非晶碳膜沉积过程带电荷在边缘聚集过多而引起放电的几率。通过优化上下极板相应的结构或材质，从而确保了两极板之间等离子体稳定性，进而确保了薄膜沉积过程中腔体反射功率的稳定性，有效提高了工艺稳定性。