[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010539872.0 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112117256A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 柳原真悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下，在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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