[发明专利]一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路

摘要

本发明公开了一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块；其中，驱动回路包括驱动电阻，负压产生模块由电容与齐纳二极管并联后再与电源模块串联构成，串扰抑制模块包括反并联的三极管和二极管，后与抑制电容相连，三极管基极与发射极和驱动电阻并联；各SiC MOSFET的栅极与源极之间设有驱动回路，负压产生模块与驱动回路串联，串扰抑制模块与驱动回路并联。本发明电路均由无源器件构成，结构简单；无需额外增加驱动负压电源，且驱动负压可由齐纳二极管调节，可满足各种驱动需求；有效解决串联扰动发生时的电压尖峰问题，保证器件安全。