[发明专利]一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺在审
| 申请号： | 202010542197.7 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111755424A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张少波;方铭国;刘江;程勇 | 申请（专利权）人： | 深圳泰研半导体装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;B23K26/36 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 王志强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺,其包括以下步骤：S1、获取SIP封装体；S2、在SIP封装体上形成半切割道沟槽；S3、通过低温磁控离子溅射，在SIP封装体外表面及半切割道沟槽镀膜以形成金属覆层，以形成共形屏蔽、区域屏蔽；S4、以激光除去SIP封装体外表面待除去的金属覆层，以裸露出未屏蔽区，形成局部屏蔽采用激光和低温磁控离子溅射工艺，可以同时形成共形屏蔽、区域屏蔽以及局部屏蔽；可以提高工艺流程的简洁化程度。另外，能够解决金属屏蔽层内的子系统共振问题，局部屏蔽则是进一步划分屏蔽区及非屏蔽区，如此可以提高SIP封装技术的应用空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 系统 封装 实现 选择性 电磁 屏蔽 工艺 | ||
【主权项】：
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