[发明专利]半导体器件及操作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010543803.7 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN112447237A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄斗熙;金泰勋;裵敏敬;禹明勋;李奉镕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及操作半导体器件的方法。所述半导体器件包括源极层、多个沟道结构、多个栅电极和公共源极线。所述多个栅电极中的至少一个栅电极提供GIDL线。在擦除操作期间，施加到所述公共源极线的擦除电压达到目标电压，并且在所述擦除电压达到所述目标电压之后，将阶跃增量电压增加到所述擦除电压，使得所述擦除电压的电压电平高于所述目标电压的电压电平。在所需时间段内已经增加了所述阶跃增量电压之后，在所述擦除操作的剩余操作中，所述擦除电压的电压电平减小到所述目标电压的电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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