[发明专利]光电探测器及其制备方法、触控基板和显示面板有效
申请号: | 202010544467.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111653632B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 李达;张硕;陈江博;李凡;孟凡理;梁魁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/20;H01L27/144;G06F3/042 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种光电探测器及其制备方法、触控基板和显示面板,光电探测器包括依次层叠设置的基底、缓冲层、金属层、绝缘层及半导体层,金属层包括第一金属电极和第二金属电极,第一金属电极和第二金属电极之间的缓冲层上形成有凹槽,绝缘层覆盖金属层,且填充凹槽。本发明实施例即便在形成第一金属电极和第二金属电极的过程中对缓冲层溅射入金属原子,由于凹槽和填充的绝缘层使第一金属电极和第二金属电极之间不再仅由缓冲层连接,可以使第一金属电极和第二金属电极之间金属原子形成的漏电流减小或无漏电流,实现了有效减小第一金属电极和第二金属电极之间的偏压暗电流。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测器 及其 制备 方法 触控基板 显示 面板 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的