[发明专利]MoS2在审

专利信息
申请号: 202010544610.3 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111678906A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 隋学森 申请(专利权)人: 青岛峰峦新材料科技有限责任公司
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;C01B32/194;B22F9/24;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种MoS2‑Ag‑氮掺杂石墨烯纳米复合材料表面增强拉曼基底及其制备方法。首先以氨基芘为原料,进行水热反应制备得到氮掺杂的石墨烯量子点,然后进行酯化、加聚反应得到NG‑HDO薄膜;再进行表面Ag纳米粒子修饰,最后再进行MoS2纳米粒子包覆。通过上述的制备方法,可以改善普通石墨烯基表面增强拉曼基底中所存在的背景噪音信号大,检测信号强度不足,灵敏性差的缺陷,得到了一种检测信号强度高、检测准确性和灵敏性优异的MoS2‑Ag‑氮掺杂石墨烯纳米复合材料表面增强拉曼基底。
搜索关键词: mos base sub
【主权项】:
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