[发明专利]一种高热流密度芯片散热装置及其制作方法有效
| 申请号： | 202010544841.4 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111653532B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 柯瑞林;黄佳敏;王玲;黄骏 | 申请（专利权）人： | 深圳市数聚天源人工智能有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/22;H01L23/373 |
| 代理公司： | 广东普润知识产权代理有限公司 44804 | 代理人： | 寇闯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种高热流密度芯片散热装置及其制备方法，高热流密度芯片散热装置包括散热箱体和芯片外壳，散热箱体为中空结构，芯片外壳置于散热箱体的内部，芯片封装于芯片外壳内，散热箱体和芯片外壳之间填充有散热填充物，芯片外壳的顶部嵌设有固化剂囊体和液态金属囊体，固化剂囊体内至少包括硅树脂囊层和固化剂囊层，固化剂囊层包覆硅树脂囊层，液态金属囊体内至少包括液态金属囊层。本申请实施例提供了一种高热流密度芯片散热装置及其制作方法，由于在芯片外壳顶部设置液态金属囊体和固化剂囊体，通过胶焊时施压即可实现将液态金属固定于芯片外壳顶部，并可有效防止过热时液态金属膨胀导致的焊接处断裂，更换维护成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热流 密度 芯片 散热 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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