[发明专利]一种基于PN结芯片的高压电弧监测系统及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于PN结芯片的高压电弧监测系统及其制备方法，由氧化镓基PN结光电芯片、Ti/Au圆形薄膜电极、紫外光电探测外围电路、指示灯和NB通信模块组成；氧化镓基PN结光电芯片包括蓝宝石单晶衬底、n型β‑Ga2O3薄膜、p型Sm2O3薄膜，其中β‑Ga2O3薄膜的厚度为300‑500nm，位于蓝宝石单晶衬底的上方，并且面积相同，Sm2O3薄膜的厚度为300‑500nm，位于β‑Ga2O3薄膜的上方，面积为β‑Ga2O3薄膜的一半，与Sn:β‑Ga2O3薄膜形成Sm2O3/β‑Ga2O3PN结结构；Ti/Au圆形薄膜电极，直径为2mm；Ti/Au圆形薄膜电极包括Ti薄膜电极、Au薄膜电极，Au薄膜电极在Ti薄膜电极的上方，Ti薄膜电极稍微厚度为20‑30nm，Au薄膜电极的厚度为60‑90nm。光电芯片性能稳定，响应度和灵敏度高，暗电流小，具有很大的应用前景。