[发明专利]一种磁存储器件中底电极的制备方法在审
| 申请号： | 202010545264.0 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111668369A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 崔卫刚 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁存储器件中底电极的制备方法，该制备方法包括：提供衬底，该衬底上具有介电层，介电层上设置有底通孔以及金属插塞；在介电层上沉积硬掩膜层；在介电层的外围区域刻蚀出对准标记；去除硬掩膜层；在去除硬掩膜层后的结构上沉积底电极材料层，且底电极材料层未填满对准标记；刻蚀底电极材料层以形成底电极。通过一次沉积较厚的底电极材料层，实现一次沉积即可增加底电极的厚度的目的，使厚度增加后的底电极中间没有分层，提高底电极的可靠性及稳定性，提高产品良率；且减少工序步骤，使工艺流程更简洁。该对准标记能够作为在底电极材料层上刻蚀出底电极过程中光刻步骤的对准记号，降低工艺复杂性和成本，提高对位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 件中底 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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