[发明专利]一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件有效
申请号: | 202010545330.4 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111668364B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 熊保玉;金国栋 | 申请(专利权)人: | 浙江驰拓科技有限公司 |
主分类号: | H10N50/80 | 分类号: | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 311300 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件,该制备方法包括:提供一衬底,该衬底上具有底电极;在底电极上设置辅助层;在辅助层上设置磁性隧道结。在上述的方案中,通过先在底电极上方设置辅助层,之后将磁性隧道结设置在辅助层上,使磁性隧道结与辅助层之间存在物理上的高度差,以减少磁性隧道结侧壁上金属再沉积现象,防止磁存储器件短路。且由于磁性隧道结与辅助层之间的高度差,可以减少采用刻蚀方式形成磁性隧道结过程中,刻蚀对磁性隧道结中不同的材料层的影响,提高磁性隧道结的良率以及性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁存储器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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