[发明专利]一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件有效

专利信息
申请号: 202010545330.4 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111668364B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 熊保玉;金国栋 申请(专利权)人: 浙江驰拓科技有限公司
主分类号: H10N50/80 分类号: H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 赵永刚
地址: 311300 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件,该制备方法包括:提供一衬底,该衬底上具有底电极;在底电极上设置辅助层;在辅助层上设置磁性隧道结。在上述的方案中,通过先在底电极上方设置辅助层,之后将磁性隧道结设置在辅助层上,使磁性隧道结与辅助层之间存在物理上的高度差,以减少磁性隧道结侧壁上金属再沉积现象,防止磁存储器件短路。且由于磁性隧道结与辅助层之间的高度差,可以减少采用刻蚀方式形成磁性隧道结过程中,刻蚀对磁性隧道结中不同的材料层的影响,提高磁性隧道结的良率以及性能。
搜索关键词: 一种 磁存储器 制备 方法
【主权项】:
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