[发明专利]晶体管的栅极结构、半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010546169.2 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN112310199A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 萧茹雄;苏庆煌;龚伯涵;卢颖新;黄一珊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括晶体管的沟道组件和设置在沟道组件上方的栅极组件。栅极组件包括：介电层、设置在介电层上方的第一功函金属层、设置在第一功函金属层上方的填充金属层和设置在填充金属层上方的第二功函金属层。本发明的实施例还涉及晶体管的栅极结构和形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅极 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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