[发明专利]利用PECVD制备石墨烯的装置和方法在审

专利信息
申请号: 202010546760.8 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN113802107A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 彭海琳;杨皓;王可心;王雄彪;曹风;武钦慈;刘忠范 申请(专利权)人: 北京石墨烯研究院;北京大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/509;C01B32/186
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 赵新龙;阚梓瑄
地址: 100095 北京市海淀区苏家*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法,装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板,第一极板设置于沉积炉内,第一极板连接于等离子体源的发射端;第二极板设置于沉积炉内,第二极板与第一极板相对设置,且在沉积炉的第一区域具有重叠部分,第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式,由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体,使等离子的分布更均匀,生长在基底上的石墨烯更加均匀,提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式,使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大,进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
搜索关键词: 利用 pecvd 制备 石墨 装置 方法
【主权项】:
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