[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010546950.X | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809117A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;翁宸毅;张哲维;蔡锡翰;许清桦;张境尹;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于一基底上，其中MTJ堆叠结构包含一固定层设于基底上、一阻障层设于固定层上以及一自由层设于阻障层上。然后形成一上电极于MTJ堆叠结构上，去除上电极、自由层以及阻障层，形成第一遮盖层于上电极、自由层以及阻障层上，再去除第一遮盖层以及固定层以形成一MTJ以及一间隙壁于MTJ旁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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