[发明专利]一种去除金属镓的装置及方法有效
| 申请号： | 202010547253.6 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN112967947B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 范春林;王斌;汪庆 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘文求;杨宏 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除金属镓的装置及方法，用于去除激光剥离后残留在微发光二极管芯片上的金属镓，其中，所述装置包括：一装置本体，所述装置本体包括一工艺腔室；所述工艺腔室内盛放有用于去除激光剥离后残留于微发光二极管芯片表面的金属镓的流体；其中，所述流体具有一大于等于所述金属镓熔点的温度。通过采用物理方法即根据金属镓低熔点(29.78℃)的特性，将激光剥离后的微发光二极管芯片，浸泡在所述流体中，使金属镓由固态变为熔融态，达到去除金属镓的目的。提高了巨量转移良率及芯片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
