[发明专利]一种钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明属于电子陶瓷封装材料技术领域，具体提供一种钙铝硅系高密度封装用陶瓷材料及其制备方法，适用于高密度封装。本发明所述陶瓷材料由以下组分构成：CaO：25～55wt％，SiO2：35～65wt％，Al2O3：3～12wt％，B2O3：4～10wt％，Gd2O3：1～4wt％；该陶瓷材料具有优异的机械性能，包括抗弯强度(170～206MPa)和杨氏模量(68～77GPa)，足以在封装中提供稳定的支撑保护；优良的介电性能，包括介电常数(5.0～5.9@1MHz，5.7～5.9@15GHz)和介电损耗(9.4×10‑4@1MHz，3.5×10‑3@15GHz)，使得信号能够有效地高速传输；还有与PCB相匹配的高热膨胀系数(10×10‑6)，能够减少封装中因热失配而产生的热应力，延长了芯片的寿命，这些都完全满足高密度封装的需求，尤其是CBGA的封装要求；此外，该材料制备工艺简单成熟，耗能相对较少，成本较低，适合大规模生产应用。