[发明专利]半导体制冷片及其制作方法在审
| 申请号： | 202010548662.8 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809224A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李永辉;李俊俏;周维 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/32;F25B21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 尚伟净 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体制冷片及其制作方法。方法包括：提供半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接，且电偶对与导线电连接，半导体制冷组件设置有第一绝缘导热层的一侧为冷端，半导体制冷组件设置有第二绝缘导热层的一侧为热端；形成封装结构，令封装结构覆盖半导体制冷组件的侧壁，并与第一绝缘导热层构成第一凹槽，令导线贯穿封装结构，并延伸至封装结构的外侧，以获得半导体制冷片。由此，获得的半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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