[发明专利]晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法在审
| 申请号： | 202010552960.4 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112103200A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 小栗裕之 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/55;G01N21/84;G01N21/95 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片表面检查方法、晶片表面检查装置及电子元件制造方法。所述检查晶片的表面的方法包括以下步骤：用具有三个或更多个不同波长的激光束照射晶片的表面；当晶片的表面被激光束照射时，检测来自晶片的表面的反射光；以及基于晶片的表面关于具有三个或更多个不同波长的激光束的反射率，确定晶片的表面上是否存在异物，其中，确定是否存在异物的步骤包括确定异物是金属还是非金属的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 检查 方法 装置 电子元件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
