[发明专利]一种CMP后清洗生产线及其清洗工艺在审

专利信息
申请号: 202010553333.2 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN111668139A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 余涛;唐杰;朴灵绪;张霞;郭巍 申请(专利权)人: 若名芯半导体科技(苏州)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02
代理公司: 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 代理人: 朱斌兵
地址: 215000 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种CMP后清洗生产线及其清洗工艺,其中CMP后清洗生产线包括搬运机器人;设置在搬运机器人四周的若干个CMP加工设备和CMP后清洗装置;位于CMP加工设备后端的预清洗机构,用于对CMP加工设备加工出来的wafer进行预清洗,并将预清洗后的多个wafer存放在硅片容置架中;搬运机器人用于将预清洗机构中装载有多个wafer的硅片容置架搬运至CMP后清洗装置中进行清洗;CPM加工设备和搬运机器人之间还设有暂存清洗槽,用于对预清洗后的装载有wafer的硅片容置架进行暂存,本发明由一台CMP后清洗装置对应多台CMP加工设备对wafer进行CMP后清洗,wafer的传输效率高,保证了CMP后清洗装置的清洗速率,避免CMP后清洗装置处于空闲状态,提升了wafer的生产效率。
搜索关键词: 一种 cmp 清洗 生产线 及其 工艺
【主权项】:
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