[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010553655.7 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112322295A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 柳浩成;金明炫;李浚银 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，在蚀刻条件下，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的同时，提高在水或酸条件下的储存稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 蚀刻 溶液 使用 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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