[发明专利]提高薄膜表面处理精度的方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010556893.3 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111508833B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈毓潇 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高薄膜表面处理精度的方法及半导体器件的制造方法，在量测待表面处理层的膜厚以确定后续对待表面处理层进行表面处理的工艺参数之前，先去除预设厚度的膜层结构，以去除待表面处理层表面上的自然氧化层，由此，降低待表面处理层表面上的自然氧化层对待表面处理层膜厚的量测结果和表面处理速率的影响，进而可以确定更高精度的用于表面处理的工艺参数，由此可以基于该工艺参数来实现对待表面处理层的高精度表面处理，使得表面处理后的待表面处理层符合要求，例如待表面处理层的膜厚均一性符合要求。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 薄膜 表面 处理 精度 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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