[发明专利]一种IGBT栅极总线结构有效
| 申请号： | 202010557347.1 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111916496B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 钱玲玲 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 栅极 总线 结构 | ||
【主权项】：
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