[发明专利]一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构在审
申请号: | 202010557689.3 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111755501A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 曾嵘;任春频;刘佳鹏;陈政宇;余占清;赵彪 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/745 |
代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 张陆军 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构,包括:由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘依次设置的平面结构区域和边缘深结区域,所述平面结构区域和边缘深结区域均包括相互贴合的第一层结构和第二层结构;在所述边缘深结区域中,所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第一层结构加厚成为边缘深结结构。本发明的晶圆芯片结构优化了芯片的边缘终端结构,使得如GCT晶圆芯片达到高阻断电压等级同时,对其他性能的影响降到最低。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 边缘 结构 芯片 | ||
【主权项】:
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