[发明专利]大面积三维-二维钙钛矿异质结原位制备方法在审
| 申请号： | 202010557729.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111668374A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 肖尧明 | 申请（专利权）人： | 泉州师范学院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;C03C17/36 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 吴志龙;蔡学俊 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种大面积三维‑二维钙钛矿异质结原位制备系统，包括反应腔，其特征在于，所述反应腔内设置有支架组件，所述反应腔外部设置有溶剂循环组件，所述反应腔顶部设置有气体循环管路。本发明通过在3D准单晶钙钛矿层上原位生长大面积高质量的2D钙钛矿薄膜，形成3D‑2D钙钛矿异质结，有利于提高钙钛矿太阳能电池的光伏性能和长期稳定性；密闭循环利用钙钛矿前驱液和反溶剂溶液，有利于减少环境污染，同时提高资源利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 三维 二维 钙钛矿异质结 原位 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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