[发明专利]用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉及其控制方法在审
申请号: | 202010558143.X | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111678344A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 阮秀清;阮秀沧 | 申请(专利权)人: | 泉州市依科达半导体致冷科技有限公司 |
主分类号: | F27B17/00 | 分类号: | F27B17/00;F27D19/00;H01L35/34 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人: | 黄一敏 |
地址: | 362100 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于半导体制冷片基材制备的摇摆炉,包括:控制箱;设置于所述温控箱上的温控仪表;与所述温控箱连接的传动电机;联动杆,其一端与所述转动电机铰接;设置于所述温控箱上的支座;设置于所述支座上的炉体,其一端设置有开口,且所述炉体可在所述传动电机及所述联动杆的带动下绕所述支座左右摆动;其中,所述炉体的炉壁设置有保温层,所述保温层合围形成一柱状的容置腔,所述容置腔沿其长度方向设置有至少3个温控区,其中,每一温控区设置有分别与所述温控仪表连接的加热单元以及温度传感器。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制冷 基材 制备 摇摆 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
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