[发明专利]用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构在审
| 申请号： | 202010558889.0 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103235A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | F.J.桑托斯罗德里格斯;P.伊尔西格勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/428;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构。提供用于处理具有半导体器件层的衬底组件的方法。方法可包括步骤：在衬底组件处布置辅助载体，使得辅助载体的连接表面和衬底组件的第一表面至少在一些位置处彼此直接邻接；通过熔化辅助载体的载体部分和直接邻接辅助载体的载体部分的衬底组件的衬底部分使得辅助载体和衬底组件仅在辅助载体和衬底组件的熔合部分中局部地熔合而将辅助载体固定地附接到衬底组件；以及处理衬底组件的半导体器件层，辅助载体固定地附接到衬底组件；其中熔合部分覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 组件 方法 晶片 复合 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
