[发明专利]多层碳化硅/二氧化硅/金刚石复合自支撑膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010561139.9 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN111747414B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 马永;于盛旺;郑可;马丹丹;高洁;王永胜;申艳艳 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984;C01B33/12;C01B32/26
代理公司: 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 代理人: 张宏
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明为一种多层碳化硅/二氧化硅/金刚石复合自支撑膜,属于化学气相沉积技术领域。该自支撑膜由SiC/SiO2梯度复合层与金刚石膜依次交替叠加而成,且顶层和底层均为SiC/SiO2梯度复合层。制备时,先在石墨表面沉积一层SiC层,然后利用微波氧等离子体刻蚀部分SiC形成SiC/SiO2梯度复合层,随后在其表面沉积金刚石膜,之后再重复制备SiC层、SiC/SiO2梯度复合层、沉积金刚石膜的操作过程,最后将石墨基体氧化去除,即可获得多层SiC/SiO2/金刚石复合的自支撑膜。该复合自支撑膜兼具高硬度,高热导率,高光学透过率以及高温抗氧化能力等诸多优异的性能。
搜索关键词: 多层 碳化硅 二氧化硅 金刚石 复合 支撑 制备 方法
【主权项】:
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