[发明专利]具有非对称栅极结构的半导体器件有效
| 申请号： | 202010564674.X | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111682065B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 廖航;赵起越;李长安;王超;周春华;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有非对称栅极结构的半导体器件，其包含：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上方，所述势垒层和所述沟道层经配置以形成二维电子气体，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述势垒层之间的界面形成在所述沟道层中；及源极接触及漏极接触，位于所述势垒层上方；经掺杂III‑V族层，位于所述势垒层上方及所述漏极接触和所述源极接触之间；及栅电极，位于所述经掺杂III‑V族层上方且经组态与所述经掺杂III‑V族层形成肖特基接面，其中所述经掺杂III‑V族层及/或栅电极具有非中心对称的几何结构，从而使该器件于应用上达成控制栅极漏电流分布态样的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 栅极 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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